渦流探傷時影響試驗線圈阻抗的主要因素可從如下特性函數(shù)中表現(xiàn)出來：1－η＋μrμeff   式中：η--填充系數(shù)；μr--相對磁導(dǎo)率；μeff--有效磁導(dǎo)率。即影響試驗線圈阻抗的主要因素有：電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、試件的形狀尺寸、缺陷及試驗頻率等。渦流探傷電導(dǎo)率：如果電導(dǎo)率σ變，則特征頻率ｆg變[ｆg=1/(2πμσα2)，α是試件半徑]，貝塞爾函數(shù)的變量變，有效磁導(dǎo)率變，試驗線圈阻抗變。電導(dǎo)率的變化，在阻抗圖中影響阻抗值在曲線上的位置。

 

　　渦流探傷磁導(dǎo)率：非磁性材料，因為μr近似為1，所以對阻抗無影響；磁性材料，因為μr遠大于1，所以直接影響有效磁導(dǎo)率值、特征函數(shù)值和阻抗值。磁性材料試件的阻抗隨相對磁導(dǎo)率μr值的增大而增大。渦流探傷試件幾何尺寸：試件幾何尺寸通常以直徑(或半徑)描述。試件直徑的變化，不僅影響有效磁導(dǎo)率(分析參見電導(dǎo)率分析)，而且影響填充系數(shù)。因此，試件幾何尺寸對試驗線圈阻抗的影響是雙重的。

 

　　渦流探傷缺陷：缺陷對試驗線圈阻抗的影響可以看作是電導(dǎo)率、幾何尺寸兩個參數(shù)影響的綜合結(jié)果。由于試件中裂紋位置、深度和形狀的綜合影響結(jié)果，使缺陷對試驗線圈阻抗的影響無法進行理論計算，渦流探傷通常是借助于模型進行實驗。試驗頻率：試驗頻率對試驗線圈阻抗的影響表現(xiàn)在頻率比ｆ／ｆg上，由于有效磁導(dǎo)率是以頻率比ｆ／ｆg為參變量的，隨著試驗頻率的不同，試驗線圈在曲線上的位置發(fā)生改變。

 

　　渦流探傷時，標準試件的用途及制作注意事項各有三點要注意，首先我們來分析標準試件的用途：

 

　　①調(diào)節(jié)和檢驗設(shè)備：渦流探傷試驗前，使用對比試件調(diào)節(jié)試驗參數(shù)，確定試驗狀態(tài)；試驗過程中，使用對比試件檢驗設(shè)備工作是否政黨可靠。

 

　　②確定質(zhì)量驗收標準：試驗中，根據(jù)對比試件上的人工缺陷的指示信號為基準，確定受檢試件是否合格。

 

　　③檢查設(shè)備性能：渦流探傷主要性能有靈敏度、分辨力、末端效應(yīng)長度、人工缺陷的重要性等。

 

　　分析完標準試件的用途接下來我們來關(guān)注標準試件的制作注意事項是哪三點：

 

　　①材料選擇：渦流探傷應(yīng)使材料片號、熱處理狀態(tài)、尺寸、形狀、加工程序、表面光潔度等應(yīng)與受檢試件相同。

 

　　②人工缺陷加工：制作時不允許材質(zhì)發(fā)生變化，不允許留有殘余應(yīng)力；制作完畢，人工缺陷內(nèi)不允許殘存金屬粉末；為防止末端效應(yīng)，渦流探傷應(yīng)使人工缺陷與末端相距200mm以上；人工缺陷有兩個以上時，為防止相互干擾，間距也應(yīng)在200mm以上。

 

　　③人工缺陷的寬度及深度均應(yīng)測量。

 

　　一次完整的渦流探傷不僅僅只是一個過程還需要一份完整的報告，所以渦流探傷報告應(yīng)包括的主要內(nèi)容：A．試驗日期   B．試驗名稱  C．試件名稱、數(shù)量及簡單示意圖  D．試驗裝置   E．試驗線圈  F．試驗條件(頻率、靈敏度、相位、濾波抑制、磁飽和電流等)   G．標準試件和判廢標準  H．渦流探傷試驗結(jié)果及缺陷簡單示意圖   I．試驗人員姓名及技術(shù)資格。